HCE51100DGQ是一款灌电流和拉电流为3A的终端稳压器。
HCE51100DGQ能够保持快速瞬态响应,最低仅需20μF输出电容。HCE51100DGQ支持远端采样功能并且能为DDR和DDR2的VTT总线端提供供电电源,当VDDQ为1.5V时能够满足DDR3 VTT的电源要求。
此外,HCE51100DGQ包含完整的休眠控制,在S3模式(待机模式)时将VTT设置为高阻态,在S5模式(休眠模式)时VTT和VTTREF处于软关断状态。
HCE51100DGQ采用铜镀锡框架与环氧塑封材料组装而成的10引脚MSOP10封装结构 ,工作温度在-55℃~+125℃。
◆ 采用SMT工艺塑封封装
◆ 输入电压范围:4.75V~5.25V
◆ VLDOIN输入电压范围:1.2V~3.6V
◆ 具有压降补偿功能的拉电流和灌电流
◆ 支持S3信号和S5信号输入时的软关断模式
◆ 所需最小输出电容为20μF
◆ 远端采样(VTTSNS)
◆ 10mA缓冲基准(VTTREF)
◆ 内置软启动、欠压锁定和过流保护
◆ 带有散热焊盘的10引脚MSOP PowerPAD封装
◆ 支持DDR、DDR2、DDR3应用
◆ 工作温度(TC):-55℃~+125℃