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HCE51100DGQ—3A拉/灌电流DDR终端稳压器

HCE51100DGQ是一款灌电流和拉电流为3A的终端稳压器。

        HCE51100DGQ是一款灌电流和拉电流为3A的终端稳压器。

        HCE51100DGQ能够保持快速瞬态响应,最低仅需20μF输出电容。HCE51100DGQ支持远端采样功能并且能为DDR和DDR2的VTT总线端提供供电电源,当VDDQ为1.5V时能够满足DDR3 VTT的电源要求。

        此外,HCE51100DGQ包含完整的休眠控制,在S3模式(待机模式)时将VTT设置为高阻态,在S5模式(休眠模式)时VTT和VTTREF处于软关断状态。

        HCE51100DGQ采用铜镀锡框架与环氧塑封材料组装而成的10引脚MSOP10封装结构 ,工作温度在-55℃~+125℃。

◆ 采用SMT工艺塑封封装

◆ 输入电压范围:4.75V~5.25V

◆ VLDOIN输入电压范围:1.2V~3.6V

◆ 具有压降补偿功能的拉电流和灌电流

◆ 支持S3信号和S5信号输入时的软关断模式

◆ 所需最小输出电容为20μF

◆ 远端采样(VTTSNS)

◆ 10mA缓冲基准(VTTREF)

◆ 内置软启动、欠压锁定和过流保护

◆ 带有散热焊盘的10引脚MSOP PowerPAD封装

◆ 支持DDR、DDR2、DDR3应用

◆ 工作温度(TC):-55℃~+125℃

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