HCE68805是一款正电压理想二极管-或控制器,用于驱动2个外部N沟道MOSFET。用2个 MOSFET代替肖特基二极管形成“或”电路,可以降低功耗、减少热耗散和PCB板面积。
使用HCE68805可以很容易将两路电源或连接在一起,以提高整体系统可靠性。HCE68805能以二极管或的方式将两路正电源或者2路负电源(如-48V系统)的回流路径并接在一起。
顺着电压的正向HCE68805控制跨MOSFET 两端的压降,来保证电流从一条路径平稳地切换到另一条路径,没有振荡。如果某路电源故障或短路,芯片将快速关断 MOSFET,可以最大限度地减小瞬间的反向电流。
如果输入电源不处于稳压状态、输入端保险丝烧断或 MOSFET 正向导通压降高于故障阈值电压,芯片将发出故障指示信号。
◆ 内部裸芯片采用金丝压焊工艺组装,塑封封装
◆ 工作温度(Tc):-55℃~125℃
◆ 宽工作电压范围:6V~80V
◆ 可替代功率肖特基二极管
◆ 用于控制 N 沟道 MOSFET
◆ 0.3μs 的关断时间限制峰值故障电流
◆ 实现了无振荡的平滑切换
◆ 无反向DC电流
◆ 可监测输入电压、保险丝状态和MOSFET压降
◆ DFN4×3-14