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HCE40A256M16MB型4Gb DDR4 SDRAM

HCE40A256M16MB是一款4Gb DDR4 SDRAM,8bit预取机制,同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍,时钟频率1600MHz,工作电压低至1.2V。

HCE40A256M16MB是一款4Gb DDR4 SDRAM,8bit预取机制,同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍,时钟频率1600MHz,工作电压低至1.2V。

◆容量:4Gb,8n-bit预取结构

◆存储结构:256 Meg×16 bit

◆工作电压:VDD=VDDQ=1.2V(1.14V~1.26V),VPP=2.5V(2.375V~2.75V)

◆固定突发长度(BL, Burst Length):8

◆固定突发终止(BC, Burst Chop):4

◆可编程CAS读延迟(CL, CAS Latency)

◆可编程CAS写延迟(CWL, CAS Write Latency)

◆支持标称ODT、静态ODT和动态ODT(ODT, on-die termination)

◆支持数据总线反转(DBI, Data Bus Inversion)

◆支持自刷新和自动刷新

◆支持命令地址(CA, Command Address)奇偶校验

◆支持写入循环冗余代码(CRC, Cyclic Redundancy Code)

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